摘要:采用脉冲激光沉积法,以元素比例为In:Ga:Zn=1:1:1的InGaZnO靶材作为实验靶材,在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm,宽长比为5:1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出,经过退火处理后,器件的各种参数均得到了提高:阈值电压为5.88V,开关比提高到105,且关态电流为pA量级,S仅为1.1V/decade,且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。