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Positron annihilation spectroscopy in materials structure studies

机译：材料结构研究中的正电子an没光谱

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A relatively new method of materials structure analysis-positron annihilation spectroscopy (PAS)-is reviewed. Measurements of positron lifetimes, the determination of positron 3γ- and 2γ-annihilation probabilities, and an investigation of the effects of different external factors on the fundamental characteristics of annihilation constitute the basis for this promising method. The ways in which the positron annihilation process operates in ionic crystals, semiconductors, metals and some condensed matter systems are analyzed. The scope of PAS is described and its prospects for the study of the electronic and defect structures are discussed. The applications of positron annihilation spectroscopy in radiation physics and chemistry of various substances as well as in physics and chemistry of solutions are exemplified.
机译：综述了一种相对较新的材料结构分析方法-正电子an没光谱法（PAS）。测量正电子寿命，确定正电子3γ和2γan灭的概率以及研究各种外部因素对an灭基本特征的影响，是此有前途的方法的基础。分析了正电子an灭过程在离子晶体，半导体，金属和某些凝聚态系统中的运行方式。描述了PAS的范围，并讨论了其在电子和缺陷结构方面的研究前景。举例说明了正电子ni没光谱在各种物质的辐射物理和化学以及溶液的物理和化学中的应用。

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