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【24h】

Limits of physical properties and design for GBBL capacitors of semiconducting ceramics

机译：半导体陶瓷GBBL电容器的物理性能和设计限制

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Grain boundary barrier layer (GBBL) capacitors are widely used for their excellent physical properties. But since the invention of BaTiO_3 GBBL capacitor in the 1960s, no theory can quantitatively describe their physical properties, which has resultedin many problems in the design and manufacture of GBBL capacitors. In this note, on the basis of grain-boundary-barrier model, we quantitatively analyze the physical properties and their limits of GBBL capacitors, and thus make designs and study the methods to improve the properties of GBBL capacitors.
机译：晶界阻挡层（GBBL）电容器因其出色的物理性能而被广泛使用。但是自1960年代BaTiO_3 GBBL电容器问世以来，没有理论可以定量地描述其物理性质，这在GBBL电容器的设计和制造中造成了许多问题。在本文中，我们基于晶界垒模型，定量分析了GBBL电容器的物理性能及其极限，从而进行设计和研究改善GBBL电容器性能的方法。

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