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机译:通过深反应离子刻蚀形成的硼硅酸盐玻璃凹槽的轮廓控制
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机译:黑色硅法-在轮廓控制下确定深硅沟槽刻蚀中基于氟的反应离子刻蚀参数设置的通用方法
机译:使用氢化辅助深度反应离子刻蚀可控地形成硅纳米草
机译:全息光刻和新型单步深反应离子蚀刻具有可控侧壁剖面的硅纳米玻璃阵列的实现与新型单步深反应离子蚀刻
机译:用于芯片堆叠应用中通孔形成的深反应离子刻蚀(DRIE)的特性。
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:深反应离子刻蚀形成的硼硅酸盐玻璃槽的轮廓控制
机译:H2sO4-H2O2-H2O体系中优先化学蚀刻制备Gaas衍射光栅的轮廓和凹槽深度控制。