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INDIUM DIFFUSION STUDY IN ALPHA-TITANIUM

机译：钛钛中的铟扩散研究

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The diffusion of implanted In in alpha-Ti has been studied in the 823-1073 K temperature range by using the Rutherford backscattering spectrometry (RBS) technique. The measurements show that the diffusion coefficients follow a linear Arrhenius plot: D(T) = (2.0 +/- 1.3) X 10(-6) exp[-(260 +/- 40) kJ/mol/RT]m(2)s(-1). The diffusion parameters D-0 and Q are typical of a normal substitutional behavior. Comparison of the present and previous published results of impurity diffusion in alpha-Ti does not show evidence for mass or size effects in the diffusion mechanism. (C) 1997 Elsevier Science B.V. [References: 20]
机译：使用Rutherford背散射光谱（RBS）技术已经研究了在823-1073 K温度范围内In植入Ti中的In的扩散。测量结果表明，扩散系数遵循线性阿伦尼乌斯曲线：D（T）=（2.0 +/- 1.3）X 10（-6）exp [-（260 +/- 40）kJ / mol / RT] m（2 s（-1）。扩散参数D-0和Q是正常取代行为的典型特征。目前和以前发表的有关Al-Ti中杂质扩散结果的比较，并未显示出扩散机理中质量或尺寸效应的证据。 （C）1997 Elsevier Science B.V. [参考：20]

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