Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

Р.Х. Жукавин; К.А. Ковалевский; M.Л. Орлов; В.В. Цыпленков; Н.А. Бекин; А.Н. Яблонский; П.А. Юнин; S.G. Pavlov; N.V. Abrosimov; H.-W. Hübers; H.H. Radamson; B.H. Шастин

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

【24h】

Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

机译：SiGe / Si和单轴变形体硅中施主的光激发后，自发发射太赫兹频率范围

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлены результаты измерений интегральной фотолюминесценции терагерцового диапазона частот доноров V группы (фосфор, сурьма, висмут, мышьяк) в объемном кремнии и SiGe/Si гетероструктурах (фосфор) в зависимости от интенсивности возбуждения. Сигнал из объемного кремния также измерялся как функция одноосной деформации. Результаты измерений зависимости интенсивности спонтанного излучения от одноосной деформации достаточно хорошо согласуются с теоретическими расчетами времен релаксации возбужденных состояний доноров в объемном кремнии. Сравнительные измерения спонтанного излучения из различных напряженных гетероструктур показали, что сигнал фотолюминесценции обусловлен легированными донорами кремниевыми областями.

机译：给出了测量大体积硅和SiGe / Si异质结构（磷）中依赖激发强度的V族施主（磷，锑，铋，砷）的太赫兹频率范围的整体光致发光的结果。还测量了体硅信号作为单轴应变的函数。自发发射强度对单轴变形的依赖性的测量结果与体硅中施主的激发态弛豫时间的理论计算非常吻合。从各种应变异质结构的自发发射的比较测量表明，光致发光信号是由于掺杂施主的硅区域。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2015年第1期|共6页
作者
Р.Х. Жукавин; К.А. Ковалевский; M.Л. Орлов; В.В. Цыпленков; Н.А. Бекин; А.Н. Яблонский; П.А. Юнин; S.G. Pavlov; N.V. Abrosimov; H.-W. Hübers; H.H. Radamson; B.H. Шастин;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Comparison of thermoelectric properties of nanostructured Mg2Si, FeSi2, SiGe, and nanocomposites of SiGe–Mg2Si, SiGe–FeSi2 [J] . Amin Nozariasbmarz, Palash Roy, Zahra Zamanipour, APL Materials . 2016,第10期

机译：SiGe-Mg2Si，SiGe-Fesi2的纳米结构Mg2Si，Fesi2，SiGe和纳米复合材料的热电性能比较
2. Sichere Ex-Schutz-Losungen auf engstem Raum:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb [J] . Dirk Schaar Industrielle Automation . 2019,第2期

机译：安全的预防解决方案在密闭空间中：精确的传感器和接口技术保证可靠的机器操作：精确传感器和界面技术保证可靠的机器操作：Pracisse传感器和接口技术保证可靠的机器操作
3. Sichere Ex-Schutz-Losungen auf engstem Raum:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb:Prazise Sensoren und Interfacetechnik garantieren einen zuverlassigen Maschinenbetrieb [J] . Industrielle Automation . 2019,第2期

机译：安全的预防解决方案在密闭空间中：精确的传感器和接口技术保证可靠的机器操作：精确传感器和界面技术保证可靠的机器操作：Pracisse传感器和接口技术保证可靠的机器操作
4. 1/f noise investigations in metamorphic p-SiGe0.8/SiGe0.5and p-SiGe0.9/ SiGe0.6 MOSFETs [C] . O.A. Mironov, M. Myronov, S. Durov, ICSI3 : Third international conference on SiGe(C) epitaxy and heterostructures . 2003

机译：变形p-SiGe0.8 / SiGe0.5和p-SiGe0.9 / SiGe0.6 MOSFET的1 / f噪声研究
5. SiGe BiCMOS Integrated Circuits for Optical Communication Transmitters =SiGe BiCMOS integrierte Schaltkreise für optische Kommunikationssender [D] . Vieira Rito, Pedro Filipe. 2019

机译：用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
6. Microwave Annealing for NiSiGe Schottky Junction on SiGe P-Channel [O] . Yu-Hsien Lin, Yi-He Tsai, Chung-Chun Hsu, 2015

机译：SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火
7. Comparison of thermoelectric properties of nanostructured Mg2Si, FeSi2, SiGe, and nanocomposites of SiGe–Mg2Si, SiGe–FeSi2 [O] . Amin Nozariasbmarz, Palash Roy, Zahra Zamanipour, 2016

机译：纳米结构mg2si，Fesi2，siGe和siGe-mg2si，siGe-Fesi2纳米复合材料的热电性能比较
8. Long-Wavelength Stacked SiGe/Si Heterojunction Internal Photoemission Infrared Detectors Using Multiple SiGe/Si Layers [R] . Park, J. S., Lin, T. L., Jones, E. W., 1994

机译：使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器

Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅