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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices >Simulation of High Energy E-beam Lithography for Nano-Patterning - A Development of E-beam Lithography Simulator
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Simulation of High Energy E-beam Lithography for Nano-Patterning - A Development of E-beam Lithography Simulator

机译：纳米图形高能电子束光刻的仿真-电子束光刻模拟器的发展

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Electron beam on high energy acceleration, which travels deeply and sharply through photoresist, became to be used in e-beam lithography apparatus for nano-patterning in due to its high resolution. An advanced electron beam lithography simulation tool is currently undergoing development for nano-patterning. This paper will demonstrate such simulation efforts with experiments at 200 keV e-beam lithography processes on PMMA, ZEP520 of which photoresist parameters and characteristics will be explained with simulation results. Electron trajectory is traced to the extreme low energy level (100 eV) for resolution enhancement. For this goal, the simulator merges low energy models (Tabulated Mott, Moller Cross Section, Vriens Cross Section, Bethe equation with discrete energy loss) to the conventional high energy models (Rutherford scattering, Moller cross section, Bethe equation).
机译：高能量加速的电子束通过光刻胶深而尖锐地传播，由于其高分辨率，因此被用于电子束光刻设备中进行纳米图案化。目前正在开发一种先进的电子束光刻仿真工具，用于纳米图案化。本文将通过在200 keV电子束光刻工艺上在PMMA上进行的实验来证明这种仿真工作，其中ZEP520的光刻胶参数和特性将通过仿真结果进行解释。电子轨迹可追溯到极低的能级（100 eV），以提高分辨率。为了实现这一目标，模拟器将低能量模型（带电的莫特，穆勒横截面，弗林斯横截面，具有离散能量损失的贝特方程）合并到常规的高能量模型（卢瑟福散射，莫勒横截面，贝特方程）。

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