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Studying on source/drain contact resistance reduction for InP-based HEMT

机译：基于InP的HEMT源/漏接触电阻降低的研究

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In this letter, Ti/Pt/Au metal system has been investigated for the source/drain contact of MHEMT, the Ti/Pt/Au contact exhibits good ohmic contact characteristics with well thermal stability in the temperature range from 280 to 340 degrees C. To further optimize the contact resistance, different metal deposition methods and contact layers are experimentally investigated. With sputtering Pd as an interlayer between Ti/Pt/Au and n(+)-InGaAs, the specific contact resistivity is further reduced to 3.51 x 10(-5) cm(2). Meanwhile, by adopting this metal contact system, the MHEMT shows good DC and RF characteristics, including full channel current of 75 mA/mm, extrinsic maximum transconductance g(m.max) of 96 ms/mm, unity current gain cutoff frequency f(T) of 60 GHz and maximum frequency of oscillation f(max) of 156 GHz. These good electrical characteristics demonstrate that this metal contact system is beneficial for the performance improvement of MHEMT. (c) 2016 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 58:217-221, 2016
机译：在这封信中，已经对Ti / Pt / Au金属系统进行了MHEMT的源/漏接触的研究，Ti / Pt / Au接触在280至340摄氏度的温度范围内具有良好的欧姆接触特性和良好的热稳定性。为了进一步优化接触电阻，对不同的金属沉积方法和接触层进行了实验研究。使用溅射Pd作为Ti / Pt / Au与n（+）-InGaAs之间的中间层，比电阻率进一步降低至3.51 x 10（-5）cm（2）。同时，通过采用这种金属接触系统，MHEMT具有良好的DC和RF特性，包括75 mA / mm的全通道电流，96 ms / mm的外部最大跨导g（m.max），单位电流增益截止频率f（ T）为60 GHz，最大振荡频率f（max）为156 GHz。这些良好的电气特性表明，这种金属触点系统有利于提高MHEMT的性能。 （c）2016年Wiley Periodicals，Inc.微波技术通讯Lett 58：217-221，2016

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