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First-principles study of leakage current through thin SiO2 films

机译：通过SiO2薄膜泄漏电流的第一性原理研究

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We present a first-principles study of the leakage current through thin SiO2 films sandwiched between semi-infinitejellium electrodes. We found that the energy gap at the Fermi level changes in the SiO2 film rather than in the electrodes and the leakage current is due to the quantum tunneling of incident electrons. In addition, the leakage current increases in the compressed strained film while it decreases in the tensiled strained film. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们提出了通过夹在半无限电极之间的SiO2薄膜泄漏电流的第一性原理研究。我们发现费米能级的能隙在SiO2膜中而不是在电极中发生了变化，漏电流是由于入射电子的量子隧穿引起的。另外，在压缩应变膜中泄漏电流增加而在拉伸应变膜中泄漏电流减小。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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