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Transport properties of boron-doped single-walled silicon carbide nanotubes

机译：掺硼单壁碳化硅纳米管的传输性质

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The doped boron (B) atom in silicon carbide nanotube (SiCNT) can substitute carbon or silicon atom, forming two different structures. The transport properties of both B-doped SiCNT structures are investigated by the method combined non-equilibrium Green's function with density functional theory (DFT). As the bias ranging from 0.8 to 1.0 V, the negative differential resistance (NDR) effect occurs, which is derived from the great difficulty for electrons tunneling from one electrode to another with the increasing of localization of molecular orbital. The high similar transport properties of both B-doped SiCNT indicate that boron is a suitable impurity for fabricating nano-scale SiCNT electronic devices.
机译：碳化硅纳米管（SiCNT）中的掺杂硼（B）原子可以替代碳或硅原子，从而形成两个不同的结构。通过将非平衡格林函数与密度泛函理论（DFT）相结合的方法，研究了两种B掺杂SiCNT结构的传输特性。当偏压在0.8到1.0 V范围内时，会出现负微分电阻（NDR）效应，这是由于随着分子轨道定位的增加，电子从一个电极隧穿到另一电极带来的巨大困难。两种B掺杂的SiCNT的高相似传输特性表明，硼是制造纳米级SiCNT电子器件的合适杂质。

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