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首页> 外文期刊>Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal >Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection
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Complete fabrication study of InAs/GaSb superlattices for long-wavelength infrared detection

机译：用于长波长红外检测的InAs / GaSb超晶格的完整制造研究

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We report a complete fabrication process of InAs/GaSb type-II superlattice long-wavelength infrared photodiodes with band structure modelling, materials growth and device fabrication. The optoelectronic property of InAs/GaSb type-II superlattices is simulated by the modified empirical tight binding model for interface stoichiometry. We chose target superlattices from the simulation results. To obtain good lattice matched and high interface quality material, a two-step strain balance method of migration-enhanced epitaxy is applied in the growth of superlattices. The property of superlattices is matched well with the simulation results. Finally, photodiodes with 50% cutoff wavelength of 8.72m and peak detectivity of 8.1×10 ~(10)cmHz ~(1/2)W ~1 at 77K are demonstrated.
机译：我们报告了带结构建模，材料生长和器件制造的InAs / GaSb II型超晶格长波长红外光电二极管的完整制造过程。 InAs / GaSb II型超晶格的光电性能通过改进的界面化学计量的经验紧密结合模型进行模拟。我们从仿真结果中选择了目标超晶格。为了获得良好的晶格匹配和高界面质量的材料，在超晶格的生长中采用了两步应变平衡外延生长的应变平衡方法。超晶格的性质与仿真结果吻合得很好。最后，在50K截止波长下的光电二极管的波长为8.72m，在77K时的峰值检波率为8.1×10〜（10）cmHz〜（1/2）W〜1。

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