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Selective area laser-assisted doping of SiC thin films and blue light electroluminescence

机译：选择性区域激光辅助掺杂SiC薄膜和蓝光电致发光

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Laser-assisted doping combined with annealing technique is used in selective areas to form a p-n junction on a SiC thin film grown by the pulsed laser deposition on a Si substrate at a temperature of 800 degrees C. This approach in an aluminum chloride solution and a phosphoric solution has resulted in p-SiC/n-Si and n-SiC/p-Si hetero-structures, respectively. Further, a functional in-plane p-n junction is realized side-by-side on the post-deposited SiC thin film. I-V characteristics by two probe technique showed the p-n diode characteristics. Blue light (400 nm) electroluminescence from the p-n junction on SiC thin film was observed in the forward biased condition. Further, an improvement in the I-V reverse characteristics was observed by illuminating the p-n SiC thin film with green/blue light.
机译：与退火技术相结合的激光辅助掺杂用于选择性区域，在800℃的温度下通过脉冲激光沉积在Si衬底上生长的SiC薄膜上形成PN结。这种方法在氯化铝溶液中和a 磷酸溶液分别导致P-SiC / N-Si和N-SiC / P-Si杂结构。 此外，在沉积后的SiC薄膜上并排实现功能内P-N结。 通过两个探针技术I-V特性显示P-N二极管特性。 在正向偏置条件下观察到SiC薄膜上的P-N结的蓝光（400nm）电致发光。 此外，通过用绿色/蓝光照射P-N SiC薄膜观察I-V逆向特性的改善。

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