• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>DVS-Berichte >PCB Embedding von SiC MOSFET fur automotive Leistungselektronikmodule
【24h】

PCB Embedding von SiC MOSFET fur automotive Leistungselektronikmodule

机译：PCB由SIC MOSFET嵌入汽车电源电子模块

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Der Einsatz von Siliziumkarbid (SiC) Halbleitern in Kombination mit Hochtemperaturmaterialien erlaubt hohere Schaltfrequenzen und hohere Leistungsdichten in zukunftigen Leistungselektronik-Systemen. Zusatzlich wird erwartet, dass die Zuverlassigkeit der Komponenten weiter gesteigert und gleichzeitig die Fehleranfalligkeit reduziert wird. Die Grundlagen um diese Ziele zu erreichen sind ein optimiertes Systemdesign und eine robuste Aufbau- und Verbindungstechnologie, welche Forschungsgegenstande des offentlich geforderten Projekts SiCmodul sind. Im Projekt wird ein fortschrittlicher Traktionsumrichter mit skalierbarer Leistung erforscht, dessen Leistungsstufe fur Einsatztemperaturen bis zu 200°C konzipiert ist. Im Folgenden werden erste Ergebnisse der Zuverlassigkeitsuntersuchungen an Materialien und Halbleitern vorgestellt.
机译：碳化硅（SiC）半导体与高温材料组合使用允许未来电力电子系统中的高开关频率和高功率密度。 此外，预计部件的可靠性进一步增加，同时降低了误差损害。 实现这些目标的基础是优化的系统设计和强大的结构和连接技术，是公开项目Sicmodul的研究项目。 该项目探讨了先进的可扩展性能牵引转换器，其功率电平设计用于高达200°C的温度。 在下文中，将介绍对材料和半导体的可靠性检查的第一个结果。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号