首页> 外文期刊>Journal of Semiconductors >Photoelectrochemical etching of uniform macropore array on full 5-inch silicon wafers
【24h】

Photoelectrochemical etching of uniform macropore array on full 5-inch silicon wafers

机译:全5英寸硅晶片上的均匀大孔阵列的光电化学蚀刻

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

We analyze the two main factors causing non-uniformity of the etched macropore array first, and then a novel photoelectrochemical etching setup for large area silicon wafers is described. This etching setup refined typical etching setups by a water cooling system and a shower-head shaped electrolyte circulator. Experimental results showed that the uniform macropore array on full 5-inch n-type silicon wafers could be fabricated by this etching setup. The morphology of the macropore array can be controlled by adjusting the corresponding etching parameters.
机译:我们分析了引起蚀刻大孔阵列的不均匀性的两个主要因素,然后描述了用于大面积硅晶片的新型光电化学蚀刻设置。 该蚀刻设置通过水冷系统和淋浴头形电解质循环器精制典型的蚀刻设置。 实验结果表明,通过该蚀刻设置可以制造全5英寸N型硅晶片上的均匀大孔阵列。 可以通过调整相应的蚀刻参数来控制Macropore阵列的形态。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号