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Modelling of multi-wall CNT devices by self-consistent analysis of multichannel transport

机译：通过多通道传输的自洽分析建模多壁CNT设备

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We present a generalization of the self-consistent analysis of carbon nanotube ( CNT) field effect transistors ( FETs) to the case of multi-wall/ multi-band coherent carrier transport. The contribution to charge diffusion, due to different walls and sub-bands of a multi-wall ( mw) CNT is shown to be non-negligible, especially for high applied external voltages and 'large' diameters. The transmission line formalism is used in order to solve the Schrodinger equation for carrier propagation, coupled to the Poisson equation describing the spatial voltage distribution throughout the device. We provide detailed numerical results for semiconducting mw-nanotubes of different diameters and lengths, such as current - voltage characteristics and frequency responses.
机译：我们介绍了碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的自洽分析的一般化，适用于多壁/多频带相干载流子传输的情况。由于多壁（mw）CNT的不同壁和子带，对电荷扩散的贡献显示为不可忽略的，特别是对于高施加的外部电压和“大”直径。为了解决载流子传播的薛定inger方程，使用传输线形式，与描述整个器件空间电压分布的泊松方程耦合。我们提供了不同直径和长度的半导体纳米管的详细数值结果，例如电流-电压特性和频率响应。

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