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Synthesis and characterization of nanocrystalline diamond thin film on Ti3SiC2

机译：Ti3SiC2上纳米晶金刚石薄膜的合成与表征

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Diamond growth on polycrystalline Ti3SiC2 was investigated using microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD) under typical microcrystalline diamond growth conditions. Scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), Raman spectroscopy and synchrotron near edge extended x-ray absorption fine structure spectroscopy (NEXAFS) were used to characterize the synthesized films. A diamond nucleation density of 1011 cm(-2) has been achieved and consequently, dense nanocrystalline diamond (NCD) thin films with an average grain size of approximately 30 nm and a film growth rate of approximately 2 mu m h(-1) were synthesized. The NEXAFS spectra of the NCD films exhibit clear spectral characteristics of natural diamond with a weak peak of sp(2) carbon. Cross-sectional SEM images show that the NCD films have an equiaxed grain structure and a dense film/substrate interface.
机译：在典型的微晶金刚石生长条件下，使用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）研究了在多晶Ti3SiC2上的金刚石生长。扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），拉曼光谱和同步加速器近边缘扩展X射线吸收精细结构光谱（NEXAFS）表征了合成薄膜。金刚石的成核密度已达到1011 cm（-2），因此，合成了平均晶粒尺寸约为30 nm，膜生长速率约为2μmh（-1）的致密纳米晶金刚石（NCD）薄膜。 NCD膜的NEXAFS光谱显示出具有sp（2）碳弱峰的天然钻石的清晰光谱特征。截面SEM图像显示NCD膜具有等轴晶结构和致密的膜/基底界面。

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