Spin injection in ballistic Fe-ZnSe and Fe-GaAs(001) junctions

O. Wunnicke; Ph. Mavropoulos; P. H. Dederichs

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【24h】

Spin injection in ballistic Fe-ZnSe and Fe-GaAs(001) junctions

机译：在弹道Fe-ZnSe和Fe-GaAs（001）结中自旋注入

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We present ab initio calculations for spin injection in Fe-ZnSe and Fe-GaAs(001) systems, with and without detection by a second Fe lead. We consider the case of hot injection, as well as the presence of a tunneling barrier at the interface. Our calculations are valid in the ballistic regime. We find that these systems can be very efficient spin filters, leading to current spin polarizations and magnetoresistance ratios very close to the ideal 100%.

机译：我们介绍了从头算计算在Fe-ZnSe和Fe-GaAs（001）系统中的自旋注入，无论是否有第二根Fe铅检测到。我们考虑热注入的情况，以及在界面处存在隧道势垒的情况。我们的计算在弹道体制中是有效的。我们发现这些系统可以是非常有效的自旋滤波器，从而导致电流自旋极化和磁阻比非常接近理想的100％。

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来源
《Phase Transitions》 |2003年第5期|共11页
作者
O. Wunnicke; Ph. Mavropoulos; P. H. Dederichs;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
关键词
ferromagnetic; semiconductor; spin polarization; magnetoresistance;

机译：铁磁;半导体;自旋极化;磁阻;

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