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Modelling of multijunction solar cells with dilute nitride n–i–p–i junctions

机译:具有稀氮化物n–i–p–i结的多结太阳能电池建模

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摘要

We are proposing a novel structure containing GaInNAs n–i–p–i layers with a band gap of 1 eV connected in series to a GaInP/GaAs tandem structure. The device performance is modelled using the drift diffusion conductivity model where the number and thickness of the layers are taken as adjustable parameters to achieve the optimum design. We obtain the value of short-circuit current to keep the n–i–p–i cell current matched to the other junctions in the tandem structure.
机译:我们正在提出一种新颖的结构,该结构包含GaInNAs n–i–p–i层,其带隙为1 eV串联连接到GaInP / GaAs串联结构。使用漂移扩散电导率模型对器件性能进行建模,其中将层的数量和厚度作为可调节参数以实现最佳设计。我们获得短路电流的值,以保持n–i–p–i电池电流与串联结构中的其他结点匹配。

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