Electrooptics; Workshops; Arrays; Crystal growth; Doping; Electronic equipment; Epitaxial growth; Etching; Focal planes; Group iii compounds; Group v compounds; Interactions; Lattice dynamics; Microwave equipment; Modulation; Night vision devices; Optical communications; Optical properties; Pumping; Quantum electronics; Radar; Resonance; Semiconductors; Tunneling(Electronics); Yttrium aluminum garnet; Semiconductor devices; Heterojunctions; Optoelectronic devices; Quantum Wells; Laser arrays; YAG lasers; Gallium phosphide lasers; Optical modulators; Heterostructures;
机译:基于SI的光电器件的硼掺杂III-V半导体
机译:在过去20年中,基于III-V化合物半导体的光电器件已在科学和技术领域产生了重大影响
机译:基于III-V化合物半导体的光电子器件在过去20年中产生了重大的科学技术影响
机译:光电器件中III-V族氮化物半导体材料的MOVPE和MBE生长之间的关键比较
机译:用于新型红外光电设备的III-V半导体中的子带间过渡。
机译:基于深陷阱的光电III-V材料的电阻切换
机译:开发半导体器件的接触材料。 III-V复合半导体中重掺杂。