机译:在CVD-钻石上的Algan / GaN Hemt中温度依赖界面陷阱的研究
机译:GaN沟道层厚度对复合AlGaN / GaN缓冲层GaN HEMT的DC和RF性能的影响
机译:分析DC,通道温度和原位SIN / Algan-Sandwich-Barrier / GaN /Al₀.₀₅Ghmts的rf性能
机译:在大功率连续波操作中,在CVD金刚石上增强了AlGaN / GaN HEMT的DC和RF性能
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:alInN / GaN HEmT的电学性能。与具有相似工艺的alGaN / GaN HEmT的比较
机译:改善GaN / alGaN HEmT性能和可靠性的钝化技术发展