机译:使用Ar / H 2混合物气体等离子体制备氢化非晶硅纳米膜膜的膜性能和光致发光特性
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法从C2H2 + SiH4混合物中生长的宽带隙氢化非晶硅碳合金薄膜的热改性
机译:碳含量和等离子体功率对PECVD沉积氢化非晶碳化硅薄膜室温光致发光特性的影响
机译:螺旋波等离子体化学气相沉积法沉积氢化非晶硅氮化硅薄膜的光致发光特性
机译:通过等离子体CVD控制氢化非晶硅膜和结构中的体积和界面特性。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:偏压对电子回旋共振等离子体在CoCrMo合金上制备的氢化非晶碳膜性能的影响增强了化学气相沉积(ECR-PECVD)
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日