• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文OA文献 >Metamorphic InGaP/InGaAs Multijunction Solar Cells on Germanium Substrates
【2h】

Metamorphic InGaP/InGaAs Multijunction Solar Cells on Germanium Substrates

机译：锗衬底上的变质InGaP / InGaAs多结太阳能电池

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Roosteraangepaste en metamorfe III-V multi-junctie zonnecelontwikkeling wordt in deze thesis beschreven. Meer specifiek die van In0.495Ga0.505P / In0.01Ga0.99As en In0.65Ga0.35P / In0.17Ga0.83As twee-junctie cellen op germanium. In combinatie met een germanium bodemcel kunnen ze gebruikt worden als bovenste deel in de mechanische stapeling die op imec onder ontwikkeling is. Deze structuur kan toegepast worden voor elektriciteitsproductie in de ruimte (bv. voor satellieten) of in aardse concentratiesystemen. Theoretische berekeningen geven een bovengrens voor de efficiëntie van de roosteraangepaste cel, nl. 32.5 en 36 % onder respectievelijk AM0 en 500×AM1.5D belichting. Voor de metamorfe cel is dat respectievelijk 34.2 en 41.8 %. Eerst wordt in twee theoretische hoofdstukken de depositietechniek (MOVPE) en de bronmateriaalkeuze verduidelijkt en de werking van de zonnecel en de tunneljunctie behandeld. Vervolgens wordt de ontwikkeling van de roosteraangepaste 2-junctie cel gepresenteerd. De beste 1-junctie In0.01Ga0.99As en In0.495Ga0.505P cellen hadden een conversie-efficiëntie van 24.7 en 14.2 %. Een AlGaAs tunneljunctie met een piekstroomdichtheid van 92 A/cm2 werd gerealiseerd. Met deze componenten werd een 24.3 % efficiënte tandemcel gemaakt. Ten slotte wordt een 18.6 % efficiënte metamorfe 2-junctie cel gemaakt vertrekkend van een 17.0 % efficiënte In0.17Ga0.83As en een15.2 % efficiënte In0.65Ga0.35P 1-junctie zonnecel en gebruik makende van een AlGaAs tunneljunctie met een piekstroomdichtheid van 13.5 A/cm2. Hiervoor werd een geschikte bufferlaag ontworpen om de roostermisaanpassing op te vangen en te vermijden dat dislocaties doordringen in de actieve lagen van de component.
机译：本文介绍了网格调整的变质III-V多结太阳能电池的开发。更具体地说，是锗上的In0.495Ga0.505P / In0.01Ga0.99As和In0.65Ga0.35P / In0.17Ga0.83As两结电池的电池。结合锗底部电池，它们可以用作imec正在开发的机械堆栈的上部。该结构可用于空间（例如，卫星）或地面集中系统中的电力生产。理论计算为网格自适应电池的效率提供了上限，即在AM0和500×AM1.5D曝光下分别为32.5和36％。对于变质细胞，这分别是34.2和41.8％。首先，在两个理论章节中，阐明了沉积技术（MOVPE）和源材料的选择，并讨论了太阳能电池和隧道结的操作。接下来，介绍了网格调整的2结单元的发展。最好的1结In0.01Ga0.99As和In0.495Ga0.505P电池的转换效率分别为24.7％和14.2％。实现了峰值电流密度为92 A / cm2的AlGaAs隧道结。用这些成分制成了效率为24.3％的串联电池。最后，采用AlGaAs隧道结，由峰值效率为17.0％的In0.17Ga0.83As和效率为15.2％的In0.65Ga0.35P 1-结太阳能电池构成了效率为18.6％的变质2结电池。 13.5安/平方厘米。为此，设计了合适的缓冲层以适应晶格失配并防止位错渗透组件的有源层。

著录项

  • 作者

    Mols Yves;

  • 作者单位
  • 年度 2008
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 nl
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号