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【2h】

Improved performance of yttrium-doped Al 2O 3 as inter-poly dielectric for flash-memory applications

机译：改进了钇掺杂的al 2 O 3作为闪存应用的多晶硅间电介质的性能

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Yttrium-doped Al 2O 3Y xAl yO) with different yttrium contents prepared by co-sputtering method is investigated as the inter-poly dielectric (IPD) for flash memory applications. A poor SiO 2-like interlayer formed at the IPD/Si interface is confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy, and can be suppressed by Y doping through the transformation of silica into silicate. Compared with Al 2O 3 and Y 2O 3 films, the optimized Y xAl yO film shows lower interface-state density, lower bulk charge-trapping density, higher dielectric constant, and smaller gate leakage, due to the suppressed interlayer and good thermal property ascribed to appropriate Y and Al contents in the film. Therefore, the optimized Y xAl yO film is a promising candidate as the IPD for flash memory. © 2010 IEEE.
机译：研究了通过共溅射法制备的钇含量不同的掺钇的Al 2O 3Y xAl yO）作为快闪存储器应用的多晶硅间介电层（IPD）。通过X射线光电子能谱确认了在IPD / Si界面上形成的不良的SiO 2状中间层，并且可以通过二氧化硅向硅酸盐的转变进行Y掺杂来抑制。与Al 2O 3和Y 2O 3薄膜相比，优化的Y xAl yO薄膜具有较低的界面态密度，较低的体电荷俘获密度，较高的介电常数和较小的栅极泄漏，这归因于中间层的抑制和良好的热性能。膜中适当的Y和Al含量。因此，经过优化的Y xAl yO薄膜有望成为闪存的IPD。 ©2010 IEEE。

著录项

  • 作者

    Xu JP; Huang XD; Liu L; Lai PT;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
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  • 正文语种 eng
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