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原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法

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本公开提供了原子发射光谱仪、半导体制造系统和半导体元件制造方法。一种原子发射光谱仪(AES)包括：至少一个激光发生器，其被构造为产生激光束；室，其包括布置在室中的椭圆反射镜或球面镜，椭圆反射镜或球面镜被构造为反射透射至室中的激光束，使得激光束会聚和照射至容纳在室中的被分析物上，以产生等离子体并发射等离子体光；供应器，其连接至室，以将被分析物供应至室中；以及光谱仪，其被构造为接收和分析等离子体光，并且获得关于等离子体光的数据以检测被分析物中的元素。

著录项

公开/公告号CN109540295A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-29

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN201810337027.8
发明设计人朴相吉;田炳焕;安泰兴;
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申请日2018-04-16
分类号
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人张帆
地址韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 08:33:32

法律信息

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法律状态
2019-03-29

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