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半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法

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本公开涉及半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法。提供一种能够存储多值数据同时抑制为存储器单元设置的阈值电压的增加的半导体存储器器件。根据实施例的半导体存储器器件包括多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，而第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压。存储在存储器单元对中的数据使用第二存储器单元的阈值电压和第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。

著录项

公开/公告号CN109767802A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-17

原文格式PDF
申请/专利权人瑞萨电子株式会社;
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申请/专利号CN201811233219.0
发明设计人长濑宽和;
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申请日2018-10-23
分类号G11C16/10(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人欧阳帆
地址日本东京
入库时间 2024-02-19 10:06:30

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法律状态
2019-05-17

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