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公开/公告号CN110419091A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201880018470.7
发明设计人 杨扬;K·拉马斯瓦米;K·S·柯林斯;S·莱恩;G·A·蒙罗伊;L·陈;郭岳;E·文卡塔苏布磊曼聂;
申请日2018-03-14
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人侯颖媖
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 16:02:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20180314
实质审查的生效
2019-11-05
公开
机译: 在等离子体反应器和等离子体反应器中沉积或处理类金刚石碳
机译: 等离子体反应器和等离子体反应器中类金刚石碳的沉积或处理
机译: 在等离子体反应器中沉积或处理类金刚石碳
机译:低频感应耦合等离子体反应器中类金刚石碳膜的等离子体增强化学气相沉积的E和H态
机译:等离子体预处理和后处理对RF等离子体增强化学气相沉积合成的类金刚石碳膜的影响
机译:氮对915MHz微波等离子体增强化学气相沉积反应器处理金刚石沉积的影响
机译:使用915MHz等离子体辅助CVD金刚石反应器沉积超纳米结晶金刚石上的超纳米结晶金刚晶晶片的均匀性
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:类金刚石碳涂层沉积Cvd等离子体反应器的表征
机译:等离子体源离子注入和常规离子束辅助沉积工艺沉积类金刚石碳涂层的合成与表征