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多结III-V太阳能电池及其制造方法

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本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。

著录项

公开/公告号CN103928539A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201410010911.2
发明设计人 S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪;
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申请日2014-01-09
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;张亚非
地址美国纽约
入库时间 2023-12-17 00:30:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-01

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0352 申请公布日:20140716 申请日:20140109

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-08-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20140109

实质审查的生效
2014-07-16

公开

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