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PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法

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摘要

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法。该二极管包括半导体衬底、该半导体衬底上与其掺杂类型相反的区域A、导体层B，所述半导体衬底与所述区域A接触处形成PN结，所述导体层B同时与所述半导体衬底和所述区域A接触，所述导体层B与所述半导体衬底形成肖特基结，所述导体层B与所述区域A形成欧姆接触。本发明的二极管具有工作电流高、开关速度快、漏电流小、击穿电压高和制备工艺简单等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101771088A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201010023066.4

  • 发明设计人 吴东平;张世理;朴颖华;

    申请日2010-01-21

  • 分类号H01L29/861;H01L21/329;

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-18 00:05:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-15

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/861 申请公布日:20100707 申请日:20100121

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/861 申请日:20100121

    实质审查的生效

  • 2010-07-07

    公开

    公开

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