首页> 中国专利> 一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法

一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法，是在栅极替代工艺(Replacement gate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，采用金属材料形成替代栅(假栅)，例如TiN和W等，这些材料的形成中不需要高温的条件，避免了假栅形成中造成器件等效氧化层厚度的增加，而且对于具有金属材料层的假栅，源漏离子注入很难穿透其到达介质层及沟道区，避免了离子注入穿透假栅造成器件性能的下降，此外，后续步骤中更易去除，进而提高了器件工艺的集成度。

著录项

公开/公告号CN102339752A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
展开▼

申请/专利号CN201010231034.3
发明设计人王文武;韩锴;王晓磊;马雪丽;陈大鹏;
展开▼

申请日2010-07-14
分类号H01L21/336;H01L21/28;H01L29/49;
代理机构北京市立方律师事务所;
代理人马佑平
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 04:25:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-05-07

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20120201 申请日:20100714

发明专利申请公布后的驳回
2012-03-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20100714

实质审查的生效
2012-02-01

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN102339752A . 2012-02-01
2. FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法 [P] . 中国专利： CN106847917B . 2020.01.10
3. A method for fabricating a semiconductor device with metal gate and one-half the conductors, resistors, which on the basis of a replacement gate method are produced [P] . 德国专利： DE102010064466B3 . 2016-08-11

机译：一种具有金属栅极和一半导体，电阻器的半导体器件的制造方法，其是基于替代栅极方法制造的
4. A method for fabricating a semiconductor device with metal gate and one-half the conductors, resistors, which on the basis of a replacement gate method are produced [P] . 德国专利： DE102010028465B4 . 2013-09-19

机译：一种具有金属栅极和一半导体，电阻器的半导体器件的制造方法，其是基于替代栅极方法制造的
5. Method of manufacturing semiconductor devices including replacement metal gate process incorporating a conductive dummy gate layer [P] . 美国专利： US8835292B2 . 2014-09-16

机译：制造半导体器件的方法，包括结合导电伪栅极层的替代金属栅极工艺