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用于减小磁场传感器中的1/f噪声和偏移的双极斩波

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实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括：第一桥电路，其包括用于感测磁场的多个TMR元件；以及第二电路，其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲。电流线连续地或顺序连接到场源，以接收双极电流脉冲。场传感器具有包括响应于双极脉冲的高输出和低输出的输出。此不对称响应允许进行场传感器中的1/f噪声减小的斩波技术。

著录项

公开/公告号CN106662622A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-10

原文格式PDF
申请/专利权人艾沃思宾技术公司;
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申请/专利号CN201580026554.1
发明设计人 B·N·恩格尔;P·G·马瑟;
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申请日2015-03-13
分类号G01R33/09(20060101);G01R33/06(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人魏小薇
地址美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 02:06:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-22

授权

授权
2017-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/09 申请日:20150313

实质审查的生效
2017-05-10

公开

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1. 用于减小磁场传感器中的1/f噪声和偏移的双极斩波 [P] . 中国专利： CN106662622A . 2017-05-10
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