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公开/公告号CN112285813A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量大学;
申请/专利号CN202011124828.X
发明设计人 李向军;赵杨;王骆阳;马婵;裘国华;
申请日2020-10-20
分类号G02B5/00(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人郑海峰
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
入库时间 2023-06-19 09:43:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-28
授权
发明专利权授予
机译: 表面等离子体激元激发增强荧光光谱仪和表面等离子体激元激发增强荧光光谱仪
机译: 射线发射元件,具有通过活动区域的电子操作在电极中激发的上表面等离子体激元,其中着色材料通过电极中的上表面等离子体激元激发用于辐射射线的材料
机译:太赫兹表面等离子体激元的激发和聚焦使用带有椭圆弯曲凹槽的光栅耦合器
机译:太赫兹表面等离子体激元在超薄金属膜涂层电介质中通过激光的非线性混合激发
机译:使用超颖表面控制太赫兹表面等离子体激元的激发
机译:研究太赫兹频率下的表面等离子体激元和局部表面等离子体激元。
机译:用于半导体光栅的表面等离子体激元增强的Smith-Purcell太赫兹辐射的温度可调性
机译:高折射率介质诱导的巨型太赫兹表面等离子体激元 超颖
机译:太赫兹等离子体激元诱导半导体异质结构中的电导效应