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具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法

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本发明涉及具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS‑HEMT及其制备方法，包括生长有GaN沟道层的衬底，依次层叠于沟道层上的第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、第三AlGaN势垒层及钝化层；一栅极沟槽自钝化层的上表面延伸至第二势垒层内，包括栅介质层和栅极金属的栅极结构，其中栅极介质层覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，与第三势垒层的上表面平齐，栅极金属填充栅极沟槽；其中覆盖于两个侧壁的栅介质层厚度不相同，沟槽底部的栅介质层厚度小于侧壁的栅介质层厚度。其改善沟道迁移率，降低导通电阻，具有较高的阈值电压和较高漏极饱和电流，提升了MIS‑HEMT的性能。

著录项

公开/公告号CN112635545A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09

原文格式PDF
申请/专利权人华南师范大学;
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申请/专利号CN202011503224.6
发明设计人孙慧卿;夏凡;李渊;谭秀洋;张淼;夏晓宇;马建铖;郭志友;王鹏霖;黄志辉;丁霄;
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申请日2020-12-18
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11919 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人仵乐娟
地址 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号半导体科学与技术研究院
入库时间 2023-06-19 10:32:14

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法律状态公告日

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法律状态
2022-05-31

授权

发明专利权授予

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