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高温栅槽刻蚀制备高性能硅基GaN增强型MIS-HEMTs

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宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求.常关型功率器件由于其安全性高和栅极驱动简单,广泛受电路应用的欢迎.对于常规的AlGaN/GaN结构需要把异质结界面的二维电子气(2DEG)耗尽,才能使器件实现常关型(normally-off).目前,常关型器件的制备方法最常用的有栅槽刻蚀,氟离子注入以及P-N结耗尽技术.等离子体感应耦合刻蚀(ICP)以其高效,低成本,高刻蚀选择等优点被广泛的应用于制备常关型器件.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|112-113|共2页
会议地点苏州
作者
施宜军; 黄森; 王鑫华; 陈晓娟; 刘果果; 魏珂; 刘新宇; 陈万军; 周琦; 张波; 李水明; 孙钱;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN323.4;
关键词
高电子迁移率晶体管; 硅基氮化镓; 栅槽刻蚀; 电流崩塌;

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