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依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法

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本发明揭示抛光半导体衬底的方法，所述方法涉及基于抛光垫的垫对垫变化量调整精抛光序列。

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公开/公告号CN113165137A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23

原文格式PDF
申请/专利权人环球晶圆股份有限公司;
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申请/专利号CN201980068792.7
发明设计人吉村一朗;A·朱;H·J·邱;S·巴哈加瓦特;金泰亨;片仓则正;北泽大;
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申请日2019-08-23
分类号B24B9/06(20060101);B24B49/04(20060101);B24B37/005(20060101);B24B37/20(20060101);B24B49/03(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人江葳
地址中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号30075
入库时间 2023-06-19 11:57:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-06-14

授权

发明专利权授予

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专利
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外文文献

1. 依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法 [P] . 中国专利： CN113165137A . 2021-07-23
2. 抛光垫及使用该垫制造半导体衬底的方法 [P] . 中国专利： CN1647255A . 2005-07-27
3. A method of polishing a semiconductor substrate that adjusts for pad pad variations (a cross reference of the related application) claims the priority of U. S. provisional application 62 / 729134, filed September 10, 2018.The disclosure of the U. S. provisional patent application is hereby incorporated herein by reference for all relevance and consistency. [P] . JP2021536140A . 2021-12-23

机译：一种抛光半导体衬底的方法，该半导体衬底调整用于垫垫的变化（相关应用的交叉参考）要求2018年9月10日提交的美国临时应用62/729134的优先级。美国临时专利申请的公开内容结合于此这里参考所有相关性和一致性。
4. Polishing pad for use in the chemical/mechanical polishing of a semiconductor substrate and method of polishing the substrate using the pad [P] . 美国专利： US6165904A . 2000-12-26

机译：用于半导体衬底的化学/机械抛光的抛光垫以及使用该抛光垫抛光衬底的方法
5. Polishing pad structure and composition and method of fabricating a polishing pad for chemical-mechanical polishing and method of polishing a semiconductor substrate surface [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0737547A1 . 1996-10-16

机译：用于化学机械抛光的抛光垫结构和组成以及制造抛光垫的方法和抛光半导体衬底表面的方法