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公开/公告号CN113396246A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 哈钦森技术股份有限公司;
申请/专利号CN201980089815.2
发明设计人 D·P·里默;K·C·斯旺森;P·F·拉德维希;M·S·朗;P·V·佩萨文托;J·D·斯塔基;
申请日2019-11-23
分类号C25D5/02(20060101);C25D7/00(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人王永建
地址 美国明尼苏达州
入库时间 2023-06-19 12:33:50
机译: 高纵横比电镀结构和各向异性电镀工艺
机译:在300 mm晶圆水平上实现3D系统集成:通过热ALD和随后的铜电镀工艺,实现具有钌籽晶层的高纵横比TSV
机译:在电镀的PMMA厚层中直接电子束写入致密且高纵横比的纳米结构
机译:使用通过质子束写入制造的高纵横比微结构进行电镀
机译:高纵横比通孔铜电镀工艺的电镀设备和方法考虑因素
机译:用于质子交换膜燃料电池的高纵横比,纳米结构,铂基电极:拟议结构的设计,开发和离子传导。
机译:通过电线放电加工(EDM)的高纵横比D2钢中的薄壁结构
机译:使用干蚀刻和电镀的高纵横比,双级,圆柱形微结构的高纵横比制造
机译:用于亚半微米ULsI结构的铜电镀工艺