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一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法

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摘要

本发明公开了一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法。本发明的技术方案为：在薄膜生长过程中，实时测量同一性质参数有较大差别薄膜样品的椭偏参数ψ和Δ；通过拟合椭偏参数，获取上述薄膜样品的介电函数图谱；采用插值方法，建立以该性质参数为变量的光学常数函数库；用该光学常数函数库描述待测薄膜的光学性质，构建适于薄膜生长过程监测的在线椭偏拟合模型；使用在线椭偏拟合模型对薄膜生长过程中的椭偏参数进行实时拟合，从而获得生长过程中薄膜性质参数的实时表征与评价。本发明的优点在于为薄膜生长过程中纵向集成结构设计、性能参数实时表征和评价等问题提供解决方案，为复杂异质结制备技术的发展提供新思路。

著录项

公开/公告号CN113483677A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海技术物理研究所;
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申请/专利号CN202110674841.0
发明设计人杨辽;沈川;陈路;何力;
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申请日2021-06-18
分类号G01B11/06(20060101);G01B11/30(20060101);G01N21/21(20060101);G01M11/02(20060101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01B11/06 专利申请号:2021106748410 申请公布日:20211008

发明专利申请公布后的视为撤回

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1. 一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法 [P] . 中国专利： CN113483677A . 2021-10-08
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4. Ellipsometric method and ellipsometric device for testing the physical properties of the surface of a sample [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0019088A1 . 1980-11-26

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