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一种SiC基GaN外延结构的制作方法

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本发明公开了一种SiC基GaN外延结构的制作方法，本方法通过在PVD装置内生长AlN层，避免MOCVD原位生长AlN来有效提升MOCVD的生产效率和稳定性。由于AlN层和GaN基外延结构的形成分别在PVD和MOCVD反应室完成，SiC衬底上的AlN层在MOCVD反应室外完成生长，不存在MOCVD设备原位生长AlN层的情况，MOCVD设备中的石墨件表面只覆盖有GaN，不存在AlN，可以避免石墨件出现起皮掉颗粒的现象，从而影响后续膜层生长质量。因此本发明无需对MOCVD反应室内的石墨件进行频繁更换或清理，可以节省石墨件清洗或更换的时间，有效提升SiC基GaN外延结构的生产效率和稳定性，降低生产成本。

著录项

公开/公告号CN113921375A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人厦门市三安集成电路有限公司;
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申请/专利号CN202110983577.9
发明设计人刘波亭;林科闯;孙希国;刘胜厚;
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申请日2021-08-25
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/203(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101);
代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;
代理人连耀忠
地址 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
入库时间 2023-06-19 13:51:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-10-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2021109835779 申请公布日:20220111

发明专利申请公布后的驳回

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1. 一种SiC基GaN外延结构的制作方法 [P] . 中国专利： CN113921375A . 2022-01-11
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机译：外延生长用基板，GaN基半导体膜的制造方法，GaN基半导体膜，GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
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