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用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜

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本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。

著录项

公开/公告号CN113936997A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN202111197853.5
发明设计人 E·文卡塔苏布磊曼聂;S·E·戈特海姆;杨扬;P·曼纳;K·拉马斯瓦米;T·越泽;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;
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申请日2018-05-15
分类号H01L21/033(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/683(20060101);H01J37/32(20060101);G03F7/20(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人汪骏飞;侯颖媖
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:54:12

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外文文献

1. 用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜 [P] . 中国专利： CN113936997A . 2022-01-14
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