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Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法

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摘要

一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法，属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行：（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）磁控溅射Al膜的沉积；（3）有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：（4）磁控溅射Cu膜的沉积：（5）对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为100~400℃，退火时间为30min，得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，电阻率可低至8.0×10

著录项

  • 公开/公告号CN103014705B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳工程学院;

    申请/专利号CN201210576175.8

  • 发明设计人 鞠振河;张东;郑洪;赵琰;曲博;

    申请日2012-12-27

  • 分类号

  • 代理机构沈阳东大知识产权代理有限公司;

  • 代理人李运萍

  • 地址 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-17

    授权

    授权

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 28/00 申请日:20121227

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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