首页> 中国专利> InGaN/Si双结太阳能电池

InGaN/Si双结太阳能电池

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-In_xGa_1-xN层、p-In_xGa_1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-In_xGa_1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。

著录项

公开/公告号CN102751368B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所;
展开▼

申请/专利号CN201210246805.5
发明设计人张启明;王帅;高鹏;王保民;刘如彬;孙强;穆杰;
展开▼

申请日2012-07-17
分类号H01L31/0687(20120101);H01L31/0224(20060101);
代理机构12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司;
代理人李凤
地址 300384 天津市西青区华苑产业园区海泰发展四道15号
入库时间 2022-08-23 09:22:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-06-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/0687 登记生效日:20190529 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20120717

专利申请权、专利权的转移
2015-01-14

授权

授权
2015-01-14

授权

授权
2012-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0687 申请日:20120717

实质审查的生效
2012-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0687 申请日:20120717

实质审查的生效
2012-10-24

公开

公开
2012-10-24

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. InGaN/Si双结太阳能电池 [P] . 中国专利： CN102751368B . 2015.01.14
2. InGaN/Si双结太阳能电池 [P] . 中国专利： CN102751368A . 2012-10-24
3. Method of manufacturing a SiC bipolar junction transistor and SiC bipolar junction transistor thereof [P] . 美国专利： US8823410B2 . 2014-09-02

机译： SiC双极结型晶体管的制造方法及其SiC双极结型晶体管
4. Method of manufacturing a SiC bipolar junction transistor and SiC bipolar junction transistor thereof [P] . 美国专利： US8704546B2 . 2014-04-22

机译： SiC双极结型晶体管的制造方法及其SiC双极结型晶体管
5. METHOD OF MANUFACTURING A SiC BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND SiC BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR THEREOF [P] . 美国专利： US2013087809A1 . 2013-04-11

机译： SiC双极结型晶体管的制造方法及其SiC双极结型晶体管