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【24h】

Simulation and optimization of current matching double-junction InGaN/Si solar cells

机译：电流匹配双结InGaN / Si太阳能电池的仿真和优化

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摘要

This paper deals with theoretical investigation of the performance of current-matched In_xGaN/Si double-junction solar cells. Calculations were performed under 1-sun AM1.5 using the one diode ideal model. Impact of minor carrier lifetime and surface recombination velocity in the top sub-cell on the cell performances is analyzed. Optimum composition of the top sub-cell has been identified (x = 51.8% and E_g = 1.68 eV). The simulation results predict, for the optimized InGaN/Si double-junction solar cell, a short-circuit current J_(sc) = 20 mA/cm~2, an open-circuit voltage V_(oc) = 1.97 V, and a conversion efficiency η = 38.3%.
机译：本文对电流匹配的In_xGaN / Si双结太阳能电池的性能进行了理论研究。使用一个理想二极管模型在1-sun AM1.5下进行了计算。分析了顶部子电池的次要载流子寿命和表面重组速度对电池性能的影响。已确定顶部子电池的最佳组成（x = 51.8％，E_g = 1.68 eV）。仿真结果预测，对于优化的InGaN / Si双结太阳能电池，短路电流J_（sc）= 20 mA / cm〜2，开路电压V_（oc）= 1.97 V，并进行转换效率η＝ 38.3％。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics》 |2016年第2期|138.1-138.10|共10页
  • 作者

    S. Nacer; A. Aissat;

  • 作者单位

    Laboratoire LATSI, Department of Electronics, University of Blida 1, BP. 270, Blida, Algeria;

    Laboratoire LATSI, Department of Electronics, University of Blida 1, BP. 270, Blida, Algeria;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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