首页> 中国专利> 亚半微米光刻物镜的恒温水套

亚半微米光刻物镜的恒温水套

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种亚半微米光刻物镜的恒温水套,由恒温水温度控制、恒温水箱、水泵和上下水套构成,它紧套在物镜镜筒外面,通过水套与物镜内部进行热交换,达到物镜内部温度恒定,从而保持物镜的光学性能质量稳定,克服了由于长时间通光或周围环境温度波动,引起物镜内部温度变化,造成焦点漂移,产生新的畸变和像散,使成像质量下降的缺点。

著录项

公开/公告号CN2432594Y

专利类型
公开/公告日2001-05-30

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院光电技术研究所;
展开▼

申请/专利号CN00223787.3
发明设计人陈旭南;余国彬;张津;
展开▼

申请日2000-07-26
分类号G02B7/02;
代理机构中国科学院成都专利事务所;
代理人张一红
地址 610209 四川双流350信箱
入库时间 2022-08-21 22:41:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-09-14

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-05-30

授权

授权

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 亚半微米光刻物镜的恒温水套 [P] . 中国专利： CN2432594Y . 2001-05-30
2. 亚半微米投影光刻物镜 [P] . 中国专利： CN2483738Y . 2002-03-27
3. METHOD FOR FORMATION OF SUB-HALFMICRON PATTERN BY OPTICAL LITHOGRAPHY USING TWO-LAYER RESIST COMPOSITION [P] . 日本专利： JPH06202338A . 1994-07-22

机译：光刻法用两层光刻胶形成亚半微米图形的方法
4. Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography [P] . 美国专利： US4906552A . 1990-03-06

机译：亚半微米分辨率光刻的两层染料光刻胶工艺
5. Method for fabricating a sub-half micron MOSFET device with insulator filled shallow trenches planarized via use of negative photoresist and de- focus exposure [P] . 美国专利： US5691215A . 1997-11-25

机译：通过使用负性光刻胶和散焦曝光来制造具有绝缘体填充的浅沟槽的亚半微米MOSFET器件的制造方法