首页> 中国专利> 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域，现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题，本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池，其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层，作为空穴传输层，接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX

著录项

公开/公告号CN105070834B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-01

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201510450181.2
发明设计人陈炜;张文君;曾宪伟;王欢;
展开▼

申请日2015-07-28
分类号
代理机构华中科技大学专利中心;
代理人梁鹏
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 09:40:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-01

授权

授权
2015-12-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20150728

实质审查的生效
2015-11-18

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105070834B . 2016.06.01
2. 一种钙钛矿太阳能电池NiO空穴传输层的制备方法 [P] . 中国专利： CN109980094A . 2019-07-05
3. Organic light emitting component has connection units formed with p-doped and n-doped hole transport layers and n-type and p-type dot layers formed with organic n-dopant and p-dopant materials respectively [P] . 德国专利： DE102010004453A1 . 2011-07-14

机译：有机发光部件具有分别由p掺杂和n掺杂的空穴传输层形成的连接单元，以及分别由有机n掺杂剂和p掺杂剂材料形成的n型和p型点层。
4. New oligomeric compounds useful in organic electronics, electronic and optoelectronic devices in photocatalytic cleavage of water and sensors or organic Pelletier elements and as p-dopant for doping hole transport layers in displays [P] . 德国专利： DE102013203149A1 . 2013-09-12

机译：新型低聚化合物，可用于有机电子，电子和光电设备中的水和传感器或有机Pelletier元素的光催化裂解，并可作为p型掺杂剂掺杂显示器中的空穴传输层
5. Material for a hole transport layer with p-dopant [P] . 美国专利： US8610113B2 . 2013-12-17

机译：具有p型掺杂剂的空穴传输层的材料