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公开/公告号CN105097576B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201510420460.4
发明设计人 秦飞;别晓锐;史戈;安彤;武伟;肖智轶;
申请日2015-07-16
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人沈波
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 10:14:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-06
授权
2015-12-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20150716
实质审查的生效
2015-11-25
公开
机译: 通过垂直互连位于晶圆背面的,带有焊锡凸点的晶圆级芯片封装的制造
机译: 微设备的晶圆级钝化结构,包括该晶圆的微设备以及制造晶圆级钝化结构和微设备的方法
机译: 用于利用固定腔槽增强焊锡凸点支撑的晶圆凸点模板及其制造方法
机译:新兴晶圆级封装的焊锡凸点
机译:晶圆级封装,使用B级非导电膜进行Cu柱/ Sn-Ag微凸点互连
机译:通过晶圆级底部填充膜开发薄芯片级封装的Cu / Ni / SnAg微凸点焊接工艺
机译:晶圆级焊锡凸点和倒装芯片组件,焊球低至30μm
机译:一种新颖的三维晶圆级芯片级封装技术-制造工艺开发和可靠性表征。
机译:晶圆级底部填充对热循环测试过程中超薄芯片堆叠式3D-IC组件微凸点可靠性的影响
机译:通过压缩高速键合金凸点进行室温晶圆级真空密封
机译:一种在硅衬底中安装离散集成电路芯片的混合晶圆级集成技术研究