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一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法

摘要

本发明提供了一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法,包括步骤:建立被研究半导体存储器件的器件模型;获取器件模型的蝴蝶特性曲线;对器件模型的蝴蝶特性曲线进行校准;在半导体器件数值计算模型中添加重离子单粒子效应物理模型;设定重离子单粒子效应物理模型参数的抽样方式;获取不同LET值和不同入射角度的重离子导致的单粒子翻转截面;计算器件模型的单粒子效应敏感体积参数;构建被研究半导体存储器件的几何结构模型;设定低能质子源的抽样方式;获取不同能量的低能质子单粒子翻转截面。本发明提高了敏感体积参数的获取效率,具有成本低、计算效率高、可执行性好等优点。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-26

    授权

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  • 2017-10-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20170412

    实质审查的生效

  • 2017-10-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20170412

    实质审查的生效

  • 2017-09-08

    公开

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  • 2017-09-08

    公开

    公开

  • 2017-09-08

    公开

    公开

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