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一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法

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本发明涉及一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法。该方法包括在SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成规则的台阶形貌；通入氩气，进行石墨烯缓冲层的生长；将得到的表面只长有一层石墨烯缓冲层的SiC衬底通过氢气退火，氢原子插入到石墨烯缓冲层与SiC衬底之间，使石墨烯缓冲层成为单层石墨烯。本发明解决了SiC热解法中SiC衬底硅面生长石墨烯时所形成的缓冲层影响石墨烯迁移率的问题，同时得到了真正意义上的无缓冲层的单层石墨烯，可直接应用于射频器件。

著录项

公开/公告号CN107344868B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-27

原文格式PDF
申请/专利权人山东大学;
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申请/专利号CN201610298471.4
发明设计人陈秀芳;于璨璨;徐现刚;
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申请日2016-05-06
分类号C04B41/85(20060101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人陈桂玲
地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2022-08-23 10:38:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-27

授权

授权
2017-12-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B41/85 申请日:20160506

实质审查的生效
2017-12-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 41/85 申请日:20160506

实质审查的生效
2017-11-14

公开

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2017-11-14

公开

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2017-11-14

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