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一种基于双层光刻胶的光子晶体闪烁体制备方法

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本发明涉及一种基于双层光刻胶的光子晶体闪烁体制备方法，在石英衬底表面旋涂PMMA光刻胶和HSQ光刻胶，采用同步辐射软X射线干涉光刻，曝光后获得HSQ胶的结构图案，通过反应离子束刻蚀的方法对PMMA层进行刻蚀，在所得到的结构表面沉积TiO₂层，最后将塑料闪烁体旋涂在结构表面，制作得到具有光子晶体结构的闪烁体。与现有技术相比，本发明可以基于软X射线干涉光刻技术获得更深的结构刻蚀深度，提高了闪烁体的光输出效率，同时发挥了软X射线干涉光刻技术的大面积、小周期、高效率的优势。

著录项

公开/公告号CN108062000B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN201711058721.8
发明设计人刘波;程传伟;张娟楠;顾牡;陈鸿;刘金良;陈亮;欧阳晓平;
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申请日2017-11-01
分类号G03F7/00(20060101);G01T1/202(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人陈亮
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2022-08-23 11:06:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-28

授权

授权
2018-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/00 申请日:20171101

实质审查的生效
2018-05-22

公开

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