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公开/公告号CN109285908B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州乾照光电有限公司;
申请/专利号CN201811145297.5
发明设计人 吴真龙;叶培飞;李俊承;姜伟;张雷;
申请日2018-09-29
分类号H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王宝筠
地址 225101 江苏省扬州市经济技术开发区东风河西路8号
入库时间 2022-08-23 11:35:00
机译: 具有晶格失配的缓冲结构的多结太阳能电池及其制造方法
机译: 具有晶格失配的GrIII-GrV-X层和成分分级的缓冲层的多结太阳能电池
机译:通过界面失配阵列在GaAs上生长的GaSb太阳能电池,用于III-Sb多结电池
机译:优化了多结太阳能电池中的短路电流失配
机译:整体式III-V多结太阳能电池的光谱失配校正和光谱表征
机译:超高效晶格失配多结太阳能电池的设计方法和材料工艺
机译:使用界面失配阵列的极端晶格失配异质性的显微镜研究
机译:应变平衡II型超晶格用于高效多结太阳能电池
机译:晶格失配的bcc(110)/ bcc(110)过渡金属超晶格的界面结构