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用于性能增强的伪MOL去除

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本公开实施例涉及一种形成集成芯片的方法和相关形成方法，该集成芯片具有以不规则间距设置的中段制程(MOL)结构。在一些实施例中，集成芯片具有带有多个源极/漏极区的阱区。多个栅极结构以规则的间距设置在阱区上方。多个中段制程(MOL)结构横向交错在多个栅极结构的一些之间且以不规则间距设置在阱区上方，该不规则间距具有大于规则间距的第一间距。由于MOL结构具有带有大于规则间距的第一间距的不规则间距，多个栅极结构的一个或多个通过减少寄生电容的空间与最近的栅极或MOL结构间隔开。本发明实施例涉及用于性能增强的伪MOL去除。

著录项

公开/公告号CN107393919B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201710312147.8
发明设计人杨惠婷;赖志明;陈俊光;陈志良;杨超源;曾健庭;萧锦涛;沈孟弘;刘如淦;林威呈;
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申请日2017-05-05
分类号H01L27/02(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/8238(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 11:35:42

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