公开/公告号CN112739045B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 电信科学技术仪表研究所有限公司;
申请/专利号CN202110352869.2
申请日2021-04-01
分类号H05K3/26(20060101);
代理机构11508 北京维正专利代理有限公司;
代理人张瑞雪
地址 101149 北京市通州区北苑155号
入库时间 2022-08-23 12:06:53
机译: 用于制造半导体器件的化学气相沉积设备,其驱动方法以及用于优化清洗工艺配方的方法
机译: 形成半导体器件的硅化物的方法,能够通过提高表面蚀刻速率来进行硅化物的预清洗工艺
机译: 减少半导体器件制造中图案塌落缺陷数的方法和清洗工艺解决方案